Estudio de la movilidad de portadores de carga en transistores de efecto de campo (OFET) basados en poli(3−hexiltiofeno) (P3HT) y poliuretano (PU) como función de la temperatura y el campo eléctrico

Mendoza Maldonado, Cristian Rafael

dc.contributor.advisor	Camargo Ávila, Harold José
dc.contributor.advisor	Plaza Castillo, Jairo
dc.contributor.author	Mendoza Maldonado, Cristian Rafael
dc.date.accessioned	2025-03-22T14:54:11Z
dc.date.available	2025-03-22T14:54:11Z
dc.date.issued	2022
dc.identifier.citation	Mendoza Maldonado, C. R. (2022). Estudio de la movilidad de portadores de carga en transistores de efecto de campo (OFET) basados en poli(3−hexiltiofeno) (P3HT) y poliuretano (PU) como función de la temperatura y el campo eléctrico. Universidad del Atlántico. Facultad de Ciencias Básicas. Física.	spa
dc.identifier.uri	https://hdl.handle.net/20.500.12834/2121
dc.description.abstract	El estudio de la movilidad en transistores orgánicos (OFETs) ha venido destacando en el campo de la electrónica orgánica por el aumento de su magnitud a través de los años, permitiendo la creación de novedosos y llamativos dispositivos flexibles, ligeros, transparentes y de bajo costo. En particular la estructura Bottom gate Top contact en OFETs basados en P3HT y PU presenta altas movilidades y corrientes con bajos voltajes de operación. Se realizo por ello, la caracterización eléctrica y térmica de transistores de efecto de campo orgánico OFETs basados en Au/P3HT/PU en donde fueron fabricados y caracterizados OFETs de distintos largos de 80, 60 y 50 u m y a distintas temperaturas de 288 K a 309 K para los cuales se determinaron sus propiedades eléctricas: voltajes umbral, ventana, subumbral, razón de ganancia, numero de estados trampas y movilidades de portadores de carga. Se identificaron voltajes de operación de Vg = -2.5 V y VDS = -1.0 V y la presencia de picos de corriente en curvas de salida para todos los transistores. Así como la existencia de dos regiones de comportamiento del voltaje umbral Vth y el logaritmo de la movilidad log(u) frente a campos eléctricos en donde se propone una expansión al modelo de Poole Frenkel para bajos campos eléctricos para la descripción de estos. Siendo así, para bajos campos eléctricos se presenta una dependencia del voltaje umbral con la raíz del campo eléctrico, al mismo tiempo para mayores campos eléctricos esta dependencia es lineal con la magnitud del campo eléctrico, comportamiento inversamente análogo para la movilidad frente a la raíz del campo eléctrico. En estos se encontraron voltajes umbral en promedio de Vthmin = -3;18 + 0;02 V y Vthmin = -0;45 + 0;10V en barridos de ida y vuelta respectivamente. Observamos que se presenta una dependencia de la movilidad a la p E con ordenes de magnitud de hasta 10-2, en promedio y1 = 13;17 + 2;17(10-3)(cm2/V s) y que no toda relación W/L minimiza un valor del voltaje umbral Vth ni maximiza un valor de movilidad u, encontrándose mayores valores para L = 60um de entre los 3 largos estudiados y menores en el transistor de semilargura 80um; con predicciones de movilidad máxima en promedio de u= 0;74 + 0;04 cm2/V s y u= 0;35 +0;05 cm2/V s para barridos de ida y vuelta respectivamente.	spa
dc.format.extent	73 páginas
dc.format.mimetype	application/pdf	spa
dc.language.iso	spa	spa
dc.rights.uri	http://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/4.0/	*
dc.title	Estudio de la movilidad de portadores de carga en transistores de efecto de campo (OFET) basados en poli(3−hexiltiofeno) (P3HT) y poliuretano (PU) como función de la temperatura y el campo eléctrico	spa
datacite.rights	http://purl.org/coar/access_right/c_abf2	spa
oaire.resourcetype	http://purl.org/coar/resource_type/c_7a1f	spa
oaire.version	http://purl.org/coar/version/c_ab4af688f83e57aa	spa
thesis.degree.grantor	Universidad del Atlántico	spa
thesis.degree.discipline	Facultad de Ciencias Básicas	spa
thesis.degree.level	Tesis de pregrado	spa
thesis.degree.name	Física	spa
dc.contributor.director	Camargo Ávila, Harold José
dc.contributor.director	Plaza Castillo, Jairo
dc.identifier.instname	Universidad del Atlántico	spa
dc.identifier.reponame	Repositorio Universidad del Atlántico	spa
dc.rights.cc	Attribution-NonCommercial-ShareAlike 4.0 International	*
dc.subject.keywords	Física	spa
dc.subject.keywords	Electrónica	spa
dc.subject.keywords	Campos eléctricos	spa
dc.subject.keywords	Temperatura	spa
dc.type.driver	info:eu-repo/semantics/bachelorThesis	spa
dc.type.hasVersion	info:eu-repo/semantics/restrictedAccess	spa
dc.type.spa	Tesis	spa
dc.publisher.place	Barranquilla	spa
dc.rights.accessRights	info:eu-repo/semantics/openAccess	spa
dc.publisher.sede	Sede Norte	spa

Ficheros en el ítem

Nombre:: 9 TG CRISTIAN MENDOZA ok.pdf
Tamaño:: 6.488Mb
Formato:: PDF
Descripción:: Trabajo de grado Cristian R. ...

Ver/

Nombre:: license_rdf
Tamaño:: 1.006Kb
Formato:: application/rdf+xml

Ver/

Este ítem aparece en la(s) siguiente(s) colección(ones)

Física [30]

Mostrar el registro sencillo del ítem

Excepto si se señala otra cosa, la licencia del ítem se describe como http://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/4.0/

UNIVERSIDAD DEL ATLÁNTICO

Institución Pública de Educación Superior | Sujeta a la inspección y vigilancia del Ministerio de Educación Nacional | Nit. 890102257-3
Sede Norte: Carrera 30 Número 8- 49 Puerto Colombia - Atlántico | Sede Centro: Carrera 43 Número 50 - 53 Barranquilla- Atlántico.
Bellas Artes- Museo de Antropología: Calle 68 Número 53- 45 Barranquilla- Atlántico | Sede Regional Sur: Calle 7 No. 23-5 Barrio Abajo Suan- Atlántico
Línea de atención: PBX: (57) (5) 3852266 | Atlántico- Colombia | © Universidad del Atlántico
#UniversidadDeTodos

Resolución de lineamientos del repositorio - Estatuto de propiedad intelectual - Formato para trabajos de grado - Politicas Repositorio Institucional

Tecnología DSpace implementada por